GBT19001 เป้าหมายหลอดสีเทาเป้าหมายแมกนีตรอนสปัตเตอร์

Titanium Tube Target Titanium Gr2 ASTM B861-06 a การเคลือบสูญญากาศของวัสดุเป้าหมาย

วัสดุเป้าหมายการเคลือบเป็นแหล่งสปัตเตอร์ซึ่งสามารถสร้างฟิล์มที่ใช้งานได้หลากหลายบนซับสเตรตโดยแมกนีตรอนสปัตเตอริงการชุบไอออนแบบหลายอาร์คหรือระบบการเคลือบประเภทอื่นภายใต้สภาวะทางเทคโนโลยีที่เหมาะสมกล่าวโดยสรุป เป้าหมายคือวัสดุเป้าหมายที่ทิ้งระเบิดด้วยอนุภาคที่มีประจุความเร็วสูงเมื่อใช้ในอาวุธเลเซอร์พลังงานสูง ความเข้มของพลังงานที่ต่างกัน รูปคลื่นสัญญาณเอาท์พุต และความยาวคลื่นของเลเซอร์จะโต้ตอบกับเป้าหมายที่ต่างกัน เอฟเฟกต์การฆ่าและการทำลายล้างที่แตกต่างกันจะถูกสร้างขึ้นตัวอย่างเช่น การเคลือบด้วยแมกนีตรอนสปัตเตอร์การระเหยคือการเคลือบการระเหยด้วยความร้อน ฟิล์มอลูมิเนียม ฯลฯ วัสดุเป้าหมายที่แตกต่างกัน (เช่น อลูมิเนียม ทองแดง สแตนเลส ไททาเนียม เป้าหมายนิกเกิล ฯลฯ) สามารถเปลี่ยนเพื่อให้ได้ระบบฟิล์มที่แตกต่างกัน (เช่น super ฟิล์มโลหะผสมแข็ง ทนต่อการสึกหรอ ป้องกันการกัดกร่อน ฯลฯ)

1) หลักการสปัตเตอร์แมกนีตรอน:
สนามแม่เหล็กมุมฉากและสนามไฟฟ้าจะถูกเพิ่มระหว่างเป้าหมายที่สปัตเตอร์ (แคโทด) และขั้วบวก และก๊าซเฉื่อยที่จำเป็น (โดยปกติคือก๊าซ Ar) จะถูกเติมในห้องสุญญากาศสูงแม่เหล็กถาวรสร้างสนามแม่เหล็กแบบเกาส์เซียน 250-350 บนพื้นผิวของวัสดุเป้าหมาย ซึ่งสร้างสนามแม่เหล็กไฟฟ้ามุมฉากที่มีสนามไฟฟ้าแรงสูงภายใต้การกระทำของสนามไฟฟ้า Ar ก๊าซไอออไนซ์เป็นไอออนบวกและอิเล็กตรอนเป้าหมายและมีแรงดันลบบางอย่างจากการกระทำของเป้าหมายจากผลกระทบอย่างมากจากสนามแม่เหล็กและความน่าจะเป็นที่เพิ่มขึ้นของก๊าซทำงานไอออไนซ์สร้างพลาสม่าความหนาแน่นสูงใกล้ แคโทด, อาร์ไอออนภายใต้การกระทำของแรงลอเรนซ์, เร่งบินไปยังพื้นผิวเป้าหมาย, ทิ้งระเบิดที่พื้นผิวเป้าหมายด้วยความเร็วสูง, อะตอมที่กระเด็นบนเป้าหมายตามหลักการแปลงโมเมนตัมและบินออกจากพื้นผิวเป้าหมายให้สูงขึ้น พลังงานจลน์ไปยังสารตั้งต้นและสะสมเป็นแผ่นฟิล์มแมกนีตรอนสปัตเตอร์โดยทั่วไปแบ่งออกเป็นสองประเภท: DC สปัตเตอร์และความถี่วิทยุสปัตเตอร์ ซึ่งหลักการของอุปกรณ์สปัตเตอร์ dc นั้นง่าย ในโลหะสปัตเตอร์ อัตราเร็วการใช้ rf sputtering นั้นกว้างขวางกว่า นอกเหนือจากวัสดุที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าในการสปัตเตอร์แล้ว ยังสามารถสปัตเตอร์วัสดุที่ไม่นำไฟฟ้าได้ แต่ยังสามารถใช้ปฏิกิริยาสปัตเตอร์ออกไซด์ ไนไตรด์ และคาร์ไบด์ และวัสดุผสมอื่นๆหากความถี่ของคลื่นความถี่วิทยุกลายเป็นไมโครเวฟพลาสม่าสปัตเตอร์ ทุกวันนี้ พลาสมาไมโครเวฟพลาสม่าเรโซแนนซ์อิเล็กตรอนที่ใช้กันทั่วไป (ECR)
2) ประเภทของแมกนีตรอนสปัตเตอร์เป้าหมาย:
วัสดุเป้าหมายการสปัตเตอร์โลหะ, วัสดุเคลือบโลหะผสมเคลือบสปัตเตอร์, วัสดุเคลือบสปัตเตอร์เซรามิก, วัสดุเป้าหมายการสปัตเตอร์เซรามิกโบไรด์, วัสดุเป้าหมายการสปัตเตอร์เซรามิกคาร์ไบด์, วัสดุเป้าหมายการสปัตเตอร์เซรามิกฟลูออไรด์, วัสดุเป้าหมายการสปัตเตอร์เซรามิกไนไตรด์, เป้าหมายเซรามิกออกไซด์, วัสดุเป้าหมายเซรามิกสปัตเตอร์เซรามิกซีลีไนด์, วัสดุเป้าหมายการสปัตเตอร์เซรามิกซิลิไซด์, วัสดุเป้าหมายการสปัตเตอร์เซรามิกซัลไฟด์, วัสดุเป้าหมายการสปัตเตอร์เซรามิกเทลลูไรด์, เป้าหมายเซรามิกอื่น ๆ , เป้าหมายเซรามิกซิลิกอนออกไซด์ที่เจือด้วยโครเมียม (CR-SiO), อินเดียมฟอสเฟตเป้าหมาย (InP), เป้าหมายตะกั่วอาร์เซไนด์ (PbAs), อินเดียม สารหนูเป้าหมาย (InAs)

ข้อดีหลัก
ความหนาแน่นต่ำความแรงของสเปคสูง
ปรับแต่งคำขอที่กำหนดเอง
ทนต่อการกัดกร่อนได้ดีเยี่ยม
ทนความร้อนได้ดี
ประสิทธิภาพอุณหภูมิต่ำที่ยอดเยี่ยม
คุณสมบัติทางความร้อนที่ดี
โมดูลัสยืดหยุ่นต่ำ