การสะสมไอทางกายภาพ CGD Ti Gr2 เป้าหมายหลอดสำหรับ Displayer

133OD*125ID*2940L รวมหน้าแปลนท่อไทเทเนียม Target Titanium Gr2 ASTM B861-06 a การเคลือบสูญญากาศของวัสดุเป้าหมาย

แนวโน้มการพัฒนาเทคโนโลยีหลอดเป้าหมายมีความสัมพันธ์อย่างใกล้ชิดกับแนวโน้มการพัฒนาเทคโนโลยีฟิล์มบางในอุตสาหกรรมปลายน้ำเทคโนโลยีการเคลือบสูญญากาศโดยทั่วไปแบ่งออกเป็นสองประเภท: การสะสมไอทางกายภาพ (PVD) และการสะสมไอเคมี (CVD)
การสะสมไอทางกายภาพ (CGD) เป็นวิธีการฝากวัสดุเคลือบโดยตรงในอะตอม โมเลกุล หรือไอออนที่แยกออกสู่พื้นผิวของสารตั้งต้นโดยใช้วิธีการทางกายภาพต่างๆ ภายใต้สุญญากาศการเตรียมฟิล์มแข็งส่วนใหญ่มาจากการสะสมไอทางกายภาพสามารถควบคุมกระบวนการถ่ายโอนอะตอมจากวัสดุต้นทางไปยังฟิล์มบางได้โดยใช้กระบวนการทางกายภาพ เช่น การระเหยด้วยความร้อนของวัสดุ หรือการสปัตเตอร์ของอะตอมบนพื้นผิวของวัสดุโดยการทิ้งระเบิดด้วยไอออนเทคโนโลยีการสะสมไอทางกายภาพมีข้อดีของการยึดเกาะที่ดีระหว่างฟิล์มและพื้นผิว ฟิล์มที่สม่ำเสมอและหนาแน่น ความหนาของฟิล์มที่ควบคุมได้ ความกว้างของเป้าหมายที่กว้าง ช่วงสปัตเตอร์กว้าง การสะสมของฟิล์มหนา การเตรียมฟิล์มโลหะผสมที่เสถียรและการทำซ้ำได้ดีในเวลาเดียวกัน เทคโนโลยีการสะสมไอทางกายภาพสามารถใช้เป็นเทคโนโลยีการประมวลผลขั้นสุดท้ายของเหล็กกล้าความเร็วสูงและเครื่องตัดฟิล์มบางซีเมนต์คาร์ไบด์ เนื่องจากอุณหภูมิในการประมวลผลสามารถควบคุมได้ต่ำกว่า 500 องศาเซลเซียสการประยุกต์ใช้เทคโนโลยีการสะสมไอทางกายภาพสามารถปรับปรุงประสิทธิภาพการตัดของเครื่องมือตัดได้อย่างมากในการพัฒนาอุปกรณ์ประสิทธิภาพสูงและความน่าเชื่อถือสูง ยังได้ขยายขอบเขตการใช้งาน โดยเฉพาะอย่างยิ่งในเหล็กกล้าความเร็วสูง ซีเมนต์คาร์ไบด์ และเครื่องมือตัดเซรามิก
การประยุกต์ใช้เทคโนโลยีการสะสมไอทางกายภาพสามารถปรับปรุงประสิทธิภาพการตัดของเครื่องมือตัดได้อย่างมากในการพัฒนาอุปกรณ์ประสิทธิภาพสูงและความน่าเชื่อถือสูง ยังได้ขยายขอบเขตการใช้งาน โดยเฉพาะอย่างยิ่งในเหล็กกล้าความเร็วสูง ซีเมนต์คาร์ไบด์ และเครื่องมือตัดเซรามิก

ข้อดีหลัก
ความหนาแน่นต่ำความแรงของสเปคสูง
ปรับแต่งคำขอที่กำหนดเอง
ทนต่อการกัดกร่อนได้ดีเยี่ยม
ทนความร้อนได้ดี
ประสิทธิภาพอุณหภูมิต่ำที่ยอดเยี่ยม
คุณสมบัติทางความร้อนที่ดี
โมดูลัสยืดหยุ่นต่ำ