133mm * 125mm * 840mm Titanium Seamless Tube ความต้านทานการกัดกร่อนของเป้าหมาย

เป้าหมายการเคลือบสูญญากาศเป้าหมายท่อไทเทเนียม 133OD * 125ID * 840 ท่อไม่มีรอยต่อ ASTM B861-06

เป้าหมายการเคลือบเป็นแหล่งสปัตเตอร์ที่สร้างฟิล์มที่ใช้งานได้หลากหลายบนซับสเตรตโดยแมกนีตรอนสปัตเตอริง การชุบไอออนแบบมัลติอาร์ค หรือระบบการเคลือบประเภทอื่นๆ ภายใต้สภาวะทางเทคโนโลยีที่เหมาะสมพูดง่ายๆ คือ วัสดุเป้าหมายคือวัสดุเป้าหมายของการทิ้งระเบิดอนุภาคที่มีประจุด้วยความเร็วสูงเมื่อใช้ในอาวุธเลเซอร์พลังงานสูง ความหนาแน่นของพลังงานที่ต่างกัน รูปคลื่นสัญญาณที่ส่งออกต่างกัน และความยาวคลื่นที่แตกต่างกันของเลเซอร์จะโต้ตอบกับเป้าหมายที่ต่างกัน เอฟเฟกต์การฆ่าและการทำลายที่แตกต่างกันจะถูกสร้างขึ้นตัวอย่างเช่น สารเคลือบแมกนีตรอนสปัตเตอริงแบบระเหยคือการเคลือบแบบระเหยด้วยความร้อน ฟิล์มอลูมิเนียม ฯลฯ เปลี่ยนวัสดุเป้าหมายที่แตกต่างกัน (เช่น อลูมิเนียม ทองแดง สแตนเลส ไททาเนียม นิกเกิลเป้าหมาย ฯลฯ) สามารถรับระบบฟิล์มที่แตกต่างกันได้ (เช่น ฮาร์ดพิเศษ) , ฟิล์มโลหะผสมที่ทนต่อการสึกหรอป้องกันการกัดกร่อน ฯลฯ )
ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา จอแบน (FPD) ได้ส่งผลกระทบอย่างมากต่อจอคอมพิวเตอร์และตลาดทีวีที่ถูกครอบงำโดยหลอดรังสีแคโทด (CRT) ซึ่งจะผลักดันเทคโนโลยีและความต้องการของตลาดของวัสดุเป้าหมายของ ITOเป้าหมาย iTO มีสองประเภทในปัจจุบันหนึ่งถูกเผาโดยผสมอินเดียมออกไซด์และผงดีบุกออกไซด์ในสถานะนาโนเมตร ส่วนอีกส่วนหนึ่งถูกเผาโดยเป้าหมายโลหะผสมดีบุกอินเดียมฟิล์ม ITO สามารถเตรียมได้โดยการสปัตเตอร์รีแอกทีฟกระแสตรงบนชิ้นงานโลหะผสมอินเดียม - ดีบุก แต่พื้นผิวเป้าหมายจะถูกออกซิไดซ์และอัตราการสปัตเตอร์จะได้รับผลกระทบ และเป็นการยากที่จะได้เป้าหมายทองคำขนาดใหญ่ปัจจุบันนี้ วิธีแรกโดยทั่วไปถูกนำมาใช้ในการผลิตวัสดุเป้าหมายของ ITO โดยใช้การเคลือบสปัตเตอร์รีแอกทีฟแบบ L}IRFมีอัตราการตกตะกอนที่รวดเร็วและสามารถควบคุมความหนาของฟิล์มได้อย่างแม่นยำ การนำไฟฟ้าสูง ความสม่ำเสมอที่ดีของฟิล์ม การยึดเกาะที่แข็งแรงกับพื้นผิวและข้อดีอื่นๆ ได้อย่างแม่นยำแต่การทำเป้าหมายนั้นยากเพราะอินเดียมออกไซด์และดีบุกออกไซด์ไม่เผารวมกันได้ง่ายโดยทั่วไปจะใช้ ZrO2, Bi2O3 และ CeO เป็นสารเติมแต่งสำหรับการเผาผนึก และสามารถรับวัสดุเป้าหมายที่มีความหนาแน่น 93% ~ 98% ของค่าตามทฤษฎีได้ประสิทธิภาพของฟิล์ม ITO ที่เกิดขึ้นในลักษณะนี้มีความเกี่ยวข้องอย่างมากกับสารเติมแต่งนักวิทยาศาสตร์ชาวญี่ปุ่นใช้ Bizo เป็นสารเติมแต่ง และ Bi2O3 ละลายที่ 820Cr และส่วนหนึ่งของอุณหภูมิการเผาผนึกที่เกิน L500 ℃ ถูกระเหย เพื่อให้สามารถกำหนดเป้าหมาย ITO ที่ค่อนข้างบริสุทธิ์ได้ภายใต้สภาวะการเผาผนึกด้วยเฟสของเหลวและวัตถุดิบออกไซด์ไม่จำเป็นต้องเป็นอนุภาคนาโน ซึ่งสามารถลดความซับซ้อนของกระบวนการในระยะแรกได้ความต้านทานของฟิล์ม ITO ที่ได้จากการใช้เป้าหมายเช่น Chuan คือ 8.1 ×10n-cm ซึ่งใกล้เคียงกับความต้านทานของฟิล์ม ITO บริสุทธิ์ขนาดของ FPD และแก้วนำไฟฟ้าค่อนข้างร้อน และความกว้างของกระจกนำไฟฟ้าสามารถเข้าถึงได้ถึง 3133_เพื่อปรับปรุงอัตราการใช้ประโยชน์จากเป้าหมาย เป้าหมาย ITO ที่มีรูปร่างต่างกัน เช่น ทรงกระบอก ได้รับการพัฒนาในปี 2543 คณะกรรมการวางแผนการพัฒนาแห่งรัฐและกระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีได้รวมเป้าหมายขนาดใหญ่ของ ITO ไว้ในคู่มือแนะนำสาขาสำคัญของอุตสาหกรรมสารสนเทศโดยให้ความสำคัญกับการพัฒนาในปัจจุบัน

คุณสมบัติ

1. ความหนาแน่นต่ำและมีความแข็งแรงสูง
2. ปรับแต่งตามแบบที่ลูกค้าต้องการ
3. ทนต่อการกัดกร่อนได้ดี
4. ทนความร้อนได้ดี
5. ทนต่ออุณหภูมิต่ำ
6. ทนความร้อน